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同位素成套裝置計算和生產(chǎn)主要基于不同同位素原子質(zhì)量的差異來實(shí)現(xiàn)分離。常用的方法包括氣體擴(kuò)散法、離心法和激光法等。在氣體擴(kuò)散法中，同位素氣體分子通過半透膜時因質(zhì)量不同而擴(kuò)散速率不同，從而實(shí)現(xiàn)分離。離心法利用高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力場，使較重的同位素原子向外移動，較輕的同位素原子向內(nèi)聚集。激光法則是通過選擇性激發(fā)特定同位素原子，再利用化學(xué)或物理方法進(jìn)行分離。

同位素裝置主要基于不同同位素原子質(zhì)量的差異來實(shí)現(xiàn)分離。常用的方法包括氣體擴(kuò)散法、離心法和激光法等。在氣體擴(kuò)散法中，同位素氣體分子通過半透膜時因質(zhì)量不同而擴(kuò)散速率不同，從而實(shí)現(xiàn)分離。離心法利用高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力場，使較重的同位素原子向外移動，較輕的同位素原子向內(nèi)聚集。激光法則是通過選擇性激發(fā)特定同位素原子，再利用化學(xué)或物理方法進(jìn)行分離。